Name: TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR6503PL1LQTR-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: InStock

Canale N 30 V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)

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TPHR6503PL1,LQ
Codice DigiKey	264-TPHR6503PL1LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPHR6503PL1LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPHR6503PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPHR6503PL1,LQ
Descrizione	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPHR6503PL1,LQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,65mohm a 50A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 2,1V a 1mA
Serie U-MOSIX-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10000 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 150 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN