8-PowerVDFN PKG
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TPN1110ENH,L1Q

Codice DigiKey
TPN1110ENHL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
TPN1110ENHL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
TPN1110ENH,L1Q
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 200 V 7,2 A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TPN1110ENH,L1Q Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
114mohm a 3,6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 200µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
600 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-TSON Advance (3,1x3,1)
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

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In magazzino: 28’418
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.78000Fr. 1.78
10Fr. 1.13900Fr. 11.39
100Fr. 0.77420Fr. 77.42
500Fr. 0.61776Fr. 308.88
1’000Fr. 0.59486Fr. 594.86
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.48600Fr. 2’430.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.78000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.92418