Name: TPN13008NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN13008NHL1QTR-ND
Price: 1.42692 CHF
Availability: InStock

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TPN13008NH,L1Q
Codice DigiKey	TPN13008NHL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPN13008NHL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPN13008NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPN13008NH,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 18 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPN13008NH,L1Q Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 200µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TPN13008
RDSon (max) a Id, Vgs 13,3mohm a 9A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMT10H015LFG-7	Diodes Incorporated	1’176	DMT10H015LFG-7DICT-ND	Fr. 1.64000	Simile

In magazzino: 1’738

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.32000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.42692

TPN13008NH,L1Q