Name: TPN2010FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2010FNHL1QTR-ND
Price: 2.04309 CHF
Availability: OutOfStock

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TPN2010FNH,L1Q
Codice DigiKey	TPN2010FNHL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPN2010FNHL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPN2010FNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPN2010FNH,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 5,6 A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPN2010FNH,L1Q Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 200µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 600 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,6 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TPN2010
RDSon (max) a Id, Vgs 198mohm a 2,8A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.51301	Fr. 2’565.05
10’000	Fr. 0.48785	Fr. 4’878.50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.89000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.04309

TPN2010FNH,L1Q