Name: TPN2R304PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R304PLL1QTR-ND
Price: 1.21072 CHF
Availability: InStock

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TPN2R304PL,L1Q
Codice DigiKey	TPN2R304PLL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPN2R304PLL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPN2R304PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPN2R304PL,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 80 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPN2R304PL,L1Q Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 300µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3600 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TPN2R304
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 40A, 10V

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In magazzino: 57’813

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.12000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.21072

TPN2R304PL,L1Q