Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 1.11343 CHF
Availability: InStock

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TPN4R712MD,L1Q
Codice DigiKey	TPN4R712MDL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPN4R712MDL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPN4R712MD,L1Q
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 36 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPN4R712MD,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4300 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base TPN4R712
RDSon (max) a Id, Vgs 4,7mohm a 18A, 4,5V

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.03000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.11343

TPN4R712MD,L1Q