Name: TPN6R003NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN6R003NLLQTR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: InStock

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TPN6R003NL,LQ
Codice DigiKey	TPN6R003NLLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPN6R003NLLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPN6R003NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPN6R003NL,LQ
Descrizione	MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 27 A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPN6R003NL,LQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 200µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 32W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 27 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TPN6R003
RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 13,5A, 10V

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In magazzino: 2’724

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.24315

TPN6R003NL,LQ