Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 3.29705 CHF
Availability: OutOfStock

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TPW1R306PL,L1Q
Codice DigiKey	TPW1R306PLL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPW1R306PL,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 260 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-DSOP Advance
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPW1R306PL,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 91 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8100 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore 8-DSOP Advance
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 260 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TPW1R306
RDSon (max) a Id, Vgs 1,29mohm a 50A, 10V