Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 3.86998 CHF
Availability: InStock

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TRS10V65H,LQ
Codice DigiKey	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TRS10V65H,LQ
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 10A A montaggio superficiale 4-DFN-EP (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 650 V
Stato componente Attivo	Capacità a Vr, F 649pF a 1V, 1MHz
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Contenitore/involucro 4-VSFN piazzola esposta
Corrente - Media rettificata (Io) 10A	Contenitore del fornitore 4-DFN-EP (8x8)
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.35 V @ 10 A	Temp. di funzionamento - Giunzione 175°C

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In magazzino: 3’310

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 1.16998	Fr. 2’924.95
5’000	Fr. 1.14805	Fr. 5’740.25

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.58000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.86998

TRS10V65H,LQ