Name: TRS12A65F,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS12A65FS1Q-ND
Price: 6.25899 CHF
Availability: OutOfStock

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TRS12A65F,S1Q
Codice DigiKey	264-TRS12A65FS1Q-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TRS12A65F,S1Q
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 12A Foro passante TO-220F-2L
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TRS12A65F,S1Q Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	12A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.6 V @ 12 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	60 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	44pF a 650V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2 Full Pack
Contenitore del fornitore	TO-220F-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione	175°C (max)
Codice componente base	TRS12A65

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 5.79000	Fr. 5.79
50	Fr. 3.12280	Fr. 156.14
100	Fr. 2.86560	Fr. 286.56
500	Fr. 2.50100	Fr. 1’250.50

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