Diodi 650 V 2A Foro passante TO-220-2L
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TRS2E65H,S1Q

Codice DigiKey
264-TRS2E65H,S1Q-ND
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TRS2E65H,S1Q
Descrizione
DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 2A Foro passante TO-220-2L
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
2A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.35 V @ 2 A
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
40 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
135pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.06000Fr. 2.06
50Fr. 0.75540Fr. 37.77
100Fr. 0.67900Fr. 67.90
500Fr. 0.62532Fr. 312.66
1’000Fr. 0.62136Fr. 621.36
2’000Fr. 0.56717Fr. 1’134.34
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.06000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.22686