Diodi 650 V 4A Foro passante TO-220-2L
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TRS4E65H,S1Q

Codice DigiKey
264-TRS4E65H,S1Q-ND
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TRS4E65H,S1Q
Descrizione
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 4A Foro passante TO-220-2L
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
4A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.35 V @ 4 A
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
55 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
263pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C
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Quantità
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.14000Fr. 2.14
50Fr. 0.96160Fr. 48.08
100Fr. 0.86410Fr. 86.41
500Fr. 0.83198Fr. 415.99
1’000Fr. 0.75654Fr. 756.54
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.14000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.31334