Diodi 650 V 6A Foro passante TO-220-2L
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TRS6E65H,S1Q

Codice DigiKey
264-TRS6E65H,S1Q-ND
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TRS6E65H,S1Q
Descrizione
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220L
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 650 V 6A Foro passante TO-220-2L
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
650 V
Corrente - Media rettificata (Io)
6A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.35 V @ 6 A
Tempo di recupero inverso (Trr)
0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
70 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F
392pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-220-2
Contenitore del fornitore
TO-220-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione
175°C
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Quantità
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.50000Fr. 2.50
50Fr. 1.11860Fr. 55.93
100Fr. 1.04900Fr. 104.90
500Fr. 0.97328Fr. 486.64
2’000Fr. 0.95182Fr. 1’903.64
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.50000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.70250