Name: TW015N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW015N120CS1F-ND
Price: 66.9139 CHF
Availability: InStock

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TW015N120C,S1F
Codice DigiKey	264-TW015N120CS1F-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TW015N120C,S1F
Descrizione	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 100 A (Tc) 431W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TW015N120C,S1F Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) max a Id	5V a 11,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	158 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6000 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	431W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247
Contenitore/involucro	TO-247-3

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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30	Fr. 50.41100	Fr. 1’512.33

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