Name: TW048N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW048N65CS1F-ND
Price: 17.02575 CHF
Availability: InStock

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TW048N65C,S1F
Codice DigiKey	264-TW048N65CS1F-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TW048N65C,S1F
Descrizione	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 40 A (Tc) 132W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	65mOhm a 20A, 18V
Vgs(th) max a Id	5V a 1,6mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	41 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1362 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	132W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247
Contenitore/involucro	TO-247-3

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Quantità

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 15.75000	Fr. 15.75
30	Fr. 9.91000	Fr. 297.30
120	Fr. 9.21100	Fr. 1’105.32

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