Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 14.07462 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

TW083N65C,S1F
Codice DigiKey	264-TW083N65CS1F-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TW083N65C,S1F
Descrizione	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	113mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) max a Id	5V a 600µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	873 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	111W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247
Contenitore/involucro	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 112

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 13.02000	Fr. 13.02
30	Fr. 9.41933	Fr. 282.58
120	Fr. 9.16517	Fr. 1’099.82

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.