Name: 1N60G
Brand: UMW
SKU: 4518-1N60GTR-ND
Price: 0.34592 CHF
Availability: InStock

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1N60G
Codice DigiKey	4518-1N60GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4518-1N60GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4518-1N60GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	UMW
Codice produttore	1N60G
Descrizione	SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 1 A (Tj) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	UMW
Serie	UMW
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	150 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA

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Nastrato in bobina (TR)