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Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 125
Prezzo unitario : Fr. 0.33000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.06267
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 416
Prezzo unitario : Fr. 0.38000
Scheda tecnica
DO-219AB SFM
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DO-219AB SFM
DO-219AB SFM

AR1FKHM3/I

Codice DigiKey
112-AR1FKHM3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AR1FKHM3/I
Descrizione
DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 800 V 1A A montaggio superficiale DO-219AB (SMF)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
800 V
Corrente - Media rettificata (Io)
1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.6 V @ 1 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
120 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
1 µA @ 800 V
Capacità a Vr, F
9,3pF a 4V, 1MHz
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
DO-219AB (SMF)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Product Questions and Answers

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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
20’000Fr. 0.06803Fr. 1’360.60
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.06803
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.07354