BYM10-1000HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Prodotti a semiconduttore discreti

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BYM10-1000HE3_A/I
Codice DigiKey	112-BYM10-1000HE3_A/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	BYM10-1000HE3_A/I
Descrizione	DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1000 V 1A A montaggio superficiale DO-213AB (MELF)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	Superectifier®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	1000 V
Corrente - Media rettificata (Io)	1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.2 V @ 1 A
Velocità	Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr	10 µA @ 1000 V
Capacità a Vr, F	8pF a 4V, 1MHz
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	DO-213AB, MELF
Contenitore del fornitore	DO-213AB (MELF)
Temp. di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C

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