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BYM12-150-E3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.11402
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BYM12-150HE3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BYM12-150HE3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
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BYM12-150HE3_B/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BYM12-150HE3_B/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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EGL41C-E3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1’040
Prezzo unitario : Fr. 0.38000
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EGL41C-E3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.10960
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

EGL41CHE3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

EGL41CHE3/97
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
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EGL41CHE3_B/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
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EGL41CHE3_B/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica
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DO-213AB
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BYM12-150-E3/96

Codice DigiKey
BYM12-150-E3/96-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
BYM12-150-E3/96
Descrizione
DIODE STANDARD 150V 1A DO213AB
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 150 V 1A A montaggio superficiale DO-213AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
SUPERECTIFIER®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
150 V
Corrente - Media rettificata (Io)
1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1 V @ 1 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
50 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
5 µA @ 150 V
Capacità a Vr, F
20pF a 4V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-213AB, MELF (Vetro)
Contenitore del fornitore
DO-213AB
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65°C ~ 175°C
Codice componente base
BYM12
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.12193Fr. 365.79
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.12193
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.13181