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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.92107
Scheda tecnica
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BYT56J-TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | BYT56J-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BYT56J-TR |
Descrizione | DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 |
Tempi di consegna standard del produttore | 11 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 600 V 3A Foro passante SOD-64 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore | Tempo di recupero inverso (Trr) 100 ns |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 600 V |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 600 V | Contenitore del fornitore SOD-64 |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.4 V @ 3 A | Codice componente base |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYT56J-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYT56J-TAP-ND | Fr. 0.92107 | Equivalente parametrico |
| 1N5406G | onsemi | 45’960 | 1N5406GOS-ND | Fr. 0.43000 | Simile |
| 1N5406RLG | onsemi | 293’360 | 1N5406RLGOSCT-ND | Fr. 0.44000 | Simile |
| EGP30J | onsemi | 0 | 488-EGP30JCT-ND | Fr. 1.04000 | Simile |
| MR856RLG | onsemi | 0 | MR856RLGOSTR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 12’500 | Fr. 0.92370 | Fr. 11’546.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.92370 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.99852 |
