Name: BYVB32-200-M3/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-BYVB32-200-M3/ITR-ND
Price: 0.918 CHF
Availability: OutOfStock

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BYVB32-200HM3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Schiera di diodi 1 coppia, catodo comune 200 V 18A A montaggio superficiale TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB

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BYVB32-200-M3/I
Codice DigiKey	112-BYVB32-200-M3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	BYVB32-200-M3/I
Descrizione	DIODE ARRAY GP 200V 18A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Schiera di diodi 1 coppia, catodo comune 200 V 18A A montaggio superficiale TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Array di diodi
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Configurazione diodo	1 coppia, catodo comune
Tecnologia	Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	200 V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	18A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.15 V @ 20 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	25 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	10 µA @ 200 V
Temp. di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 150°C
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	TO-263AB (D2PAK)

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