Name: SIRA90DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRA90DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.67555 CHF
Availability: InStock

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SIRA90DP-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIRA90DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRA90DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRA90DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIRA90DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 100 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIRA90DP-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	153 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	10180 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	104W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8
Codice componente base	SIRA90

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In magazzino: 3’243

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.51617	Fr. 1’548.51
6’000	Fr. 0.50568	Fr. 3’034.08

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.55000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.67555

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