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Equivalente parametrico

BZT52B8V2-E3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 10’440
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BZT52B8V2-E3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.03401
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BZT52B8V2-G3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.03848
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BZT52B8V2-HE3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

BZT52B8V2-HE3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

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Scheda tecnica
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SOD 123
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SOD 123
SOD 123

BZT52B8V2-G3-08

Codice DigiKey
BZT52B8V2-G3-08-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
BZT52B8V2-G3-08
Descrizione
DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi - Zener 8.2 V 410 mW ±2% A montaggio superficiale SOD-123
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
BZT52-G
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tensione - Zener (Vz) nom.
8.2 V
Tolleranza
±2%
Potenza - Max
410 mW
Impedenza (max) (Zzt)
7 Ohms
Corrente - Dispersione inversa a Vr
100 nA @ 6 V
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOD-123
Contenitore del fornitore
SOD-123
Codice componente base
BZT52B8V2
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
15’000Fr. 0.02960Fr. 444.00
30’000Fr. 0.02901Fr. 870.30
45’000Fr. 0.02774Fr. 1’248.30
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.02960
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.03200