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BZT52B9V1-E3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BZT52B9V1-E3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BZT52B9V1-G3-08
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BZT52C9V1-HE3-08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BZT52C9V1-HE3-18
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SOD 123
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SOD 123
SOD 123

BZT52C9V1-G3-08

Codice DigiKey
BZT52C9V1-G3-08-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
BZT52C9V1-G3-08
Descrizione
DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi - Zener 9.1 V 410 mW ±5% A montaggio superficiale SOD-123
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
BZT52-G
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tensione - Zener (Vz) nom.
9.1 V
Tolleranza
±5%
Potenza - Max
410 mW
Impedenza (max) (Zzt)
10 Ohms
Corrente - Dispersione inversa a Vr
100 nA @ 7 V
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOD-123
Contenitore del fornitore
SOD-123
Codice componente base
BZT52C9V1
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
15’000Fr. 0.02800Fr. 420.00
30’000Fr. 0.02753Fr. 825.90
45’000Fr. 0.02744Fr. 1’234.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.02800
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.03027