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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 15’900
Prezzo unitario : Fr. 0.39000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 22’608
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.09729
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 2’436
Prezzo unitario : Fr. 0.51000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’420
Prezzo unitario : Fr. 0.51000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.10569
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Scheda tecnica
Simile
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ES1B-M3/5AT | |
|---|---|
Codice DigiKey | ES1B-M3/5AT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | ES1B-M3/5AT |
Descrizione | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 100 V 1A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 25 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità a Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 920 mV @ 1 A | Codice componente base |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 15’900 | ES1B-E3/5ATGICT-ND | Fr. 0.39000 | Equivalente parametrico |
| ES1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 22’608 | ES1B-E3/61TGICT-ND | Fr. 0.39000 | Equivalente parametrico |
| ES1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1B-M3/61T-ND | Fr. 0.09729 | Equivalente parametrico |
| ES1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2’436 | ES1BHE3_A/HGICT-ND | Fr. 0.51000 | Equivalente parametrico |
| ES1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7’420 | 112-ES1BHE3_A/ICT-ND | Fr. 0.51000 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 22’500 | Fr. 0.09729 | Fr. 2’189.03 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.09729 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.10517 |
