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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Scheda tecnica
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ES2AHE3/5BT | |
|---|---|
Codice DigiKey | ES2AHE3/5BT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | ES2AHE3/5BT |
Descrizione | DIODE STANDARD 50V 2A DO214AA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 50 V 2A A montaggio superficiale DO-214AA (SMB) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 50 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 18pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 50 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 2A | Contenitore del fornitore DO-214AA (SMB) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 900 mV @ 2 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 30 ns |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ES2AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES2AHE3_A/I-ND | Fr. 0.17119 | Diretto |
| ES2B | onsemi | 1’332 | ES2BFSCT-ND | Fr. 0.55000 | Simile |
| MURS105T3G | onsemi | 0 | MURS105T3GOSCT-ND | Fr. 0.53000 | Simile |
| UFS105JE3/TR13 | Microchip Technology | 0 | UFS105JE3/TR13-ND | Fr. 0.71980 | Simile |
In magazzino: 0
