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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Simile
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ESH2B-M3/5BT | |
|---|---|
Codice DigiKey | ESH2B-M3/5BT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | ESH2B-M3/5BT |
Descrizione | DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 100 V 2A A montaggio superficiale DO-214AA (SMB) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 35 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 2 µA @ 100 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità a Vr, F 30pF a 4V, 1MHz |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V | Contenitore del fornitore DO-214AA (SMB) |
Corrente - Media rettificata (Io) 2A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 930 mV @ 2 A | Codice componente base |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH2B-E3/52T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH2B-E3/52T-ND | Fr. 0.15332 | Equivalente parametrico |
| ESH2B-E3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 147 | 112-ESH2B-E3/5BTCT-ND | Fr. 0.72000 | Equivalente parametrico |
| ESH2B-M3/52T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH2B-M3/52T-ND | Fr. 0.13825 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 12’800 | Fr. 0.15824 | Fr. 2’025.47 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.15824 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.17106 |
