ESH3BHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodi singoli

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Diretto

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Prezzo unitario : Fr. 0.28720

Simile

onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 0.74000

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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ESH3BHE3/9AT
Codice DigiKey	ESH3BHE3/9AT-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	ESH3BHE3/9AT
Descrizione	DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 100 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 40 ns
Produttore Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Grado Automobilistico
Stato componente Obsoleto	Qualifica AEC-Q101
Tecnologia Standard	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V	Contenitore/involucro DO-214AB, SMC
Corrente - Media rettificata (Io) 3A	Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC)
Tensione - Diretta (Vf) max a If 900 mV @ 3 A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)	Codice componente base ESH3

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
ESH3BHE3_A/I	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	0	ESH3BHE3_A/I-ND	Fr. 0.28720	Diretto
ES3B	onsemi	9’630	ES3BFSCT-ND	Fr. 0.74000	Simile
ES3B-13-F	Diodes Incorporated	19’890	ES3B-FDICT-ND	Fr. 0.91000	Simile
S3B-13-F	Diodes Incorporated	50’395	S3B-FDICT-ND	Fr. 0.58000	Simile

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