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FESB8ATHE3_A/I è obsoleto e non è più in produzione.
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 1.13248
Scheda tecnica
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FESB8ATHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-FESB8ATHE3_A/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FESB8ATHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 50V 8A TO263AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 50 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 35 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 50 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Obsoleto | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 50 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 8A | Contenitore del fornitore TO-263AB (D2PAK) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 950 mV @ 8 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FESB8DTHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-FESB8DTHM3/ITR-ND | Fr. 1.13248 | Consigliato dal produttore |
Obsoleto
