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FESB8DTHE3_A/I è obsoleto e non è più in produzione.
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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FESB8DTHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-FESB8DTHE3_A/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FESB8DTHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 200V 8A TO263AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 200 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | ||
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max | 200 V | |
Corrente - Media rettificata (Io) | 8A | |
Tensione - Diretta (Vf) max a If | 950 mV @ 8 A | |
Velocità | Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | |
Tempo di recupero inverso (Trr) | 35 ns | |
Corrente - Dispersione inversa a Vr | 10 µA @ 200 V | |
Capacità a Vr, F | - | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | ||
Contenitore/involucro | ||
Contenitore del fornitore | TO-263AB (D2PAK) | |
Temp. di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 150°C | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera