FESB8FT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Prodotti a semiconduttore discreti

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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FESB8FT-E3/81
Codice DigiKey	FESB8FT-E3/81-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	FESB8FT-E3/81
Descrizione	DIODE STANDARD 300V 8A TO263AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 300 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	300 V
Corrente - Media rettificata (Io)	8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.3 V @ 8 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	50 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	10 µA @ 300 V
Capacità a Vr, F	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	TO-263AB (D2PAK)
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Codice componente base	FESB8