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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.90155
Scheda tecnica
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FESB8GTHM3/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | 112-FESB8GTHM3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FESB8GTHM3/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 400 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 50 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 400 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità a Vr, F 85pF a 4V, 1MHz |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 400 V | Tipo di montaggio |
Corrente - Media rettificata (Io) 8A | Contenitore/involucro |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.3 V @ 8 A | Contenitore del fornitore TO-263AB (D2PAK) |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FESB8GT-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-FESB8GT-M3/ITR-ND | Fr. 0.90155 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 1.10321 | Fr. 882.57 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.10321 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.19257 |
