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Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

FESB8GT-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.55145
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SDURB840
SMC Diode Solutions
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.80000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SFAS806G
Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 1’590
Prezzo unitario : Fr. 1.17000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SFAS806GH
Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 1’600
Prezzo unitario : Fr. 1.17000
Scheda tecnica
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MBRB15H50CT-E3/81
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FESB8GTHM3/I

Codice DigiKey
112-FESB8GTHM3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
FESB8GTHM3/I
Descrizione
DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 400 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
400 V
Corrente - Media rettificata (Io)
8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.3 V @ 8 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
50 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
10 µA @ 400 V
Capacità a Vr, F
85pF a 4V, 1MHz
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore
TO-263AB (D2PAK)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 150°C
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 0.72005Fr. 576.04
1’600Fr. 0.66721Fr. 1’067.54
2’400Fr. 0.64030Fr. 1’536.72
4’000Fr. 0.62500Fr. 2’500.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.72005
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.77837