Name: FESB8JT-M3/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-FESB8JT-M3/ITR-ND
Price: 0.59134 CHF
Availability: OutOfStock

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FESB8JTHM3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Scheda tecnica

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FESB8JT-M3/I
Codice DigiKey	112-FESB8JT-M3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	FESB8JT-M3/I
Descrizione	DIODE STANDARD 600V 8A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 600 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	600 V
Corrente - Media rettificata (Io)	8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.5 V @ 8 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	50 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	10 µA @ 600 V
Capacità a Vr, F	50pF a 4V, 1MHz
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	TO-263AB (D2PAK)
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 150°C

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Nastrato in bobina (TR)