Name: MBRB10H100-M3/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-MBRB10H100-M3/ITR-ND
Price: 0.60967 CHF
Availability: OutOfStock

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MBRB10H100-M3/I
Codice DigiKey	112-MBRB10H100-M3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	MBRB10H100-M3/I
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 100 V 10A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	100 V
Corrente - Media rettificata (Io)	10A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	700 mV @ 10 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr	4.5 µA @ 100 V
Capacità a Vr, F	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	TO-263AB (D2PAK)
Temp. di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C

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Nastrato in bobina (TR)