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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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P6SMB8.2AHE3/52 | |
|---|---|
Codice DigiKey | P6SMB8.2AHE3/52-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | P6SMB8.2AHE3/52 |
Descrizione | TVS DIODE 7.02VWM 12.1V DO214AA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 12,1V Fascetta 49,6 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMB) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 49,6 A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 600W |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -65°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Grado Automobilistico |
Tipo Zener | Qualifica AEC-Q101 |
Canali unidirezionali 1 | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 7,02V | Contenitore/involucro DO-214AA, SMB |
Tensione - Rottura (min) 7,79V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 12,1V | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| P6SMB8.2A-E3/52 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | P6SMB8.2A-E3/52GITR-ND | Fr. 0.09070 | Diretto |
| 1KSMB8.2A | Littelfuse Inc. | 0 | 1KSMB8.2A-ND | Fr. 0.18361 | Simile |
| SMBJ7.0A | Bourns Inc. | 23’835 | SMBJ7.0ABCT-ND | Fr. 0.45000 | Simile |
| SMBJ7V0A | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | SMBJ7V0ATR-ND | Fr. 0.10290 | Simile |
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