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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 4’964
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 14’424
Prezzo unitario : Fr. 0.38000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Scheda tecnica
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RS1AHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS1AHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RS1AHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 50 V 1A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 50 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 50 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.3 V @ 1 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 150 ns |
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Sostituti (23)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1A-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 4’964 | RS1A-E3/5ATGICT-ND | Fr. 0.38000 | Equivalente parametrico |
| RS1A-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 14’424 | RS1A-E3/61TGICT-ND | Fr. 0.38000 | Equivalente parametrico |
| RS1A-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1A-M3/5AT-ND | Fr. 0.08048 | Equivalente parametrico |
| RS1A-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1A-M3/61T-ND | Fr. 0.07400 | Equivalente parametrico |
| RS1AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1AHE3_A/H-ND | Fr. 0.09203 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 7’500 | Fr. 0.08392 | Fr. 629.40 |
| 15’000 | Fr. 0.08206 | Fr. 1’230.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.08392 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.09072 |
