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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 754
Prezzo unitario : Fr. 0.35000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 19’064
Prezzo unitario : Fr. 0.35000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.07318
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.08392
Scheda tecnica
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
RS1BHE3_A/H | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS1BHE3_A/H-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RS1BHE3_A/H |
Descrizione | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 100 V 1A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 10pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 1A | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.3 V @ 1 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 150 ns |
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Sostituti (19)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 754 | 112-RS1B-E3/5ATCT-ND | Fr. 0.35000 | Equivalente parametrico |
| RS1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 19’064 | RS1B-E3/61TGICT-ND | Fr. 0.35000 | Equivalente parametrico |
| RS1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1B-M3/5AT-ND | Fr. 0.07318 | Equivalente parametrico |
| RS1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1BHE3_A/I-ND | Fr. 0.08392 | Equivalente parametrico |
| EGF1B | onsemi | 112’634 | EGF1BCT-ND | Fr. 0.89000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 7’200 | Fr. 0.08435 | Fr. 607.32 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.08435 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.09118 |
