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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 907
Prezzo unitario : Fr. 0.82000
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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 415
Prezzo unitario : Fr. 0.82000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.20334
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.20334
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.24356
Scheda tecnica
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
RS3GHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS3GHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RS3GHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 400 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 400 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 44pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 400 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.3 V @ 2.5 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 150 ns |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3G-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 907 | RS3G-E3/57TGICT-ND | Fr. 0.82000 | Equivalente parametrico |
| RS3G-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 415 | 112-RS3G-E3/9ATCT-ND | Fr. 0.82000 | Equivalente parametrico |
| RS3G-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3G-M3/57T-ND | Fr. 0.20334 | Equivalente parametrico |
| RS3G-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3G-M3/9AT-ND | Fr. 0.20334 | Equivalente parametrico |
| RS3GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3GHE3_A/H-ND | Fr. 0.24356 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’500 | Fr. 0.22300 | Fr. 780.50 |
| 7’000 | Fr. 0.20647 | Fr. 1’445.29 |
| 10’500 | Fr. 0.19804 | Fr. 2’079.42 |
| 17’500 | Fr. 0.19183 | Fr. 3’357.03 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.22300 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.24106 |
