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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1’402
Prezzo unitario : Fr. 0.79000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 3’478
Prezzo unitario : Fr. 0.79000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.16891
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.15504
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 2’047
Prezzo unitario : Fr. 0.98000
Scheda tecnica
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RS3JHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS3JHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RS3JHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 600V 3A DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 600 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 600 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 34pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 600 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.3 V @ 2.5 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 250 ns |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3J-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1’402 | RS3J-E3/57TGICT-ND | Fr. 0.79000 | Equivalente parametrico |
| RS3J-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3’478 | RS3J-E3/9ATGICT-ND | Fr. 0.79000 | Equivalente parametrico |
| RS3J-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3J-M3/57T-ND | Fr. 0.16891 | Equivalente parametrico |
| RS3J-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3J-M3/9AT-ND | Fr. 0.15504 | Equivalente parametrico |
| RS3JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2’047 | 112-RS3JHE3_A/HCT-ND | Fr. 0.98000 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’500 | Fr. 0.23993 | Fr. 839.75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.23993 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.25936 |
