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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 3’749
Prezzo unitario : Fr. 0.38000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.08278
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 40’986
Prezzo unitario : Fr. 0.51000
Scheda tecnica
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 3’390
Prezzo unitario : Fr. 0.51000
Scheda tecnica
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S2J-M3/5BT | |
|---|---|
Codice DigiKey | S2J-M3/5BT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | S2J-M3/5BT |
Descrizione | DIODE STANDARD 600V 1.5A DO214AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 600 V 1,5A A montaggio superficiale DO-214AA (SMB) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 2 µs |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 600 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità a Vr, F 16pF a 4V, 1MHz |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 600 V | Contenitore del fornitore DO-214AA (SMB) |
Corrente - Media rettificata (Io) 1,5A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.15 V @ 1.5 A | Codice componente base |
Velocità Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io) |
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Sostituti (22)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| S2J-E3/52T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3’749 | S2J-E3/52TGICT-ND | Fr. 0.38000 | Equivalente parametrico |
| S2J-E3/5BT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S2J-E3/5BTGICT-ND | Fr. 0.38000 | Equivalente parametrico |
| S2J-M3/52T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S2J-M3/52T-ND | Fr. 0.08278 | Equivalente parametrico |
| S2JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 40’986 | S2JHE3_A/HGICT-ND | Fr. 0.51000 | Equivalente parametrico |
| S2JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3’390 | S2JHE3_A/IGICT-ND | Fr. 0.51000 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 16’000 | Fr. 0.08278 | Fr. 1’324.48 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.08278 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.08949 |
