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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1’483
Prezzo unitario : Fr. 0.59000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.15572
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Scheda tecnica
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S3BHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | S3BHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | S3BHE3_A/I |
Descrizione | DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 100 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 100 V |
Produttore | Capacità a Vr, F 60pF a 4V, 1MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.15 V @ 2.5 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
Tempo di recupero inverso (Trr) 2.5 µs |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| S3B-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1’483 | S3B-E3/57TGICT-ND | Fr. 0.59000 | Equivalente parametrico |
| S3B-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-E3/9AT-ND | Fr. 0.12525 | Equivalente parametrico |
| S3B-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-M3/57T-ND | Fr. 0.15572 | Equivalente parametrico |
| S3B-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-M3/9AT-ND | Fr. 0.13833 | Equivalente parametrico |
| S3BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1’130 | S3BHE3_A/HGICT-ND | Fr. 0.76000 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’500 | Fr. 0.16648 | Fr. 582.68 |
| 7’000 | Fr. 0.15336 | Fr. 1’073.52 |
| 10’500 | Fr. 0.14667 | Fr. 1’540.03 |
| 17’500 | Fr. 0.13916 | Fr. 2’435.30 |
| 24’500 | Fr. 0.13535 | Fr. 3’316.07 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.16648 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.17996 |
