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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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S3JHE3/9AT | |
|---|---|
Codice DigiKey | S3JHE3/9AT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | S3JHE3/9AT |
Descrizione | DIODE STANDARD 600V 3A DO214AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 600 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | ||
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max | 600 V | |
Corrente - Media rettificata (Io) | 3A | |
Tensione - Diretta (Vf) max a If | 1.15 V @ 2.5 A | |
Velocità | Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io) | |
Tempo di recupero inverso (Trr) | 2.5 µs | |
Corrente - Dispersione inversa a Vr | 10 µA @ 600 V | |
Capacità a Vr, F | 60pF a 4V, 1MHz | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | ||
Contenitore/involucro | ||
Contenitore del fornitore | DO-214AB (SMC) | |
Temp. di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 150°C | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera