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SM5S30AHE3/2D | |
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Codice DigiKey | SM5S30AHE3/2DGITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SM5S30AHE3/2D |
Descrizione | TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 48,4V Fascetta 74A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-218AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 74A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 3600W (3,6kW) |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Stato componente Obsoleto | Grado Automobilistico |
Tipo Zener | Qualifica AEC-Q101 |
Canali unidirezionali 1 | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 30V | Contenitore/involucro DO-218AB |
Tensione - Rottura (min) 33,3V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 48,4V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| SM5S30AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SM5S30AHE3_A/I-ND | Fr. 1.37673 | Diretto |
| ATV66SM830A-G | Comchip Technology | 0 | ATV66SM830A-G-ND | Fr. 1.87626 | Simile |



