SE30124HM3/I
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SM8S10AHE3_A/I

Codice DigiKey
SM8S10AHE3_A/IGITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SM8S10AHE3_A/IGICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
SM8S10AHE3_A/I
Descrizione
TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
17V Fascetta 388 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-218AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
PAR®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo
Zener
Canali unidirezionali
1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)
10V
Tensione - Rottura (min)
11,1V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp
17V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)
388 A
Potenza - Impulso di picco
6600W (6,6kW)
Protezione linea di alimentazione
No
Applicazioni
-
Capacità a frequenza
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-218AB
Contenitore del fornitore
DO-218AB
Codice componente base
SM8S10
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 1’470
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.24000Fr. 2.24
10Fr. 1.84800Fr. 18.48
100Fr. 1.48180Fr. 148.18
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
750Fr. 1.10400Fr. 828.00
1’500Fr. 1.06800Fr. 1’602.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.24000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.42144