SM8S26AHE3_A/K è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

SM8S26A-001HE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S26A-71HE4_A/J
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S26AHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1’597
Prezzo unitario : Fr. 1.88000
Scheda tecnica

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Comchip Technology
In magazzino: 0
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DM8W26A-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.96797
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

DM8W26AQ-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 4.07000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S26A
SMC Diode Solutions
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.19143
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S26A-AU_R2_000A1
Panjit International Inc.
In magazzino: 590
Prezzo unitario : Fr. 2.97000
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SM8S26A-Q
Bourns Inc.
In magazzino: 2’220
Prezzo unitario : Fr. 2.99000
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Equivalente parametrico

SM8S26A-TP
MCC (Micro Commercial Components)
In magazzino: 2’228
Prezzo unitario : Fr. 3.35000
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SM8S26AH
Eaton - Electronics Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.16499
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S26AHE3-TP
MCC (Micro Commercial Components)
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.22359
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

TLD8S26AH
Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.92440
Scheda tecnica
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SE30124HM3/I
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SM8S26AHE3_A/K

Codice DigiKey
SM8S26AHE3_A/K-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
SM8S26AHE3_A/K
Descrizione
TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO218AB
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
42,1V Fascetta 157A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-218AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
PAR®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo
Zener
Canali unidirezionali
1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)
26V
Tensione - Rottura (min)
28,9V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp
42,1V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)
157A
Potenza - Impulso di picco
6600W (6,6kW)
Protezione linea di alimentazione
No
Applicazioni
-
Capacità a frequenza
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-218AB
Contenitore del fornitore
DO-218AB
Codice componente base
SM8S26
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
750Fr. 1.50781Fr. 1’130.86
1’500Fr. 1.47000Fr. 2’205.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.50781
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.62994