SM8S30AHE3_A/K è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

SM8S30AHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 740
Prezzo unitario : Fr. 1.88000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

6.6SM8Z30A-AQ
Diotec Semiconductor
In magazzino: 750
Prezzo unitario : Fr. 2.66000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

ATV66SM830A-G
Comchip Technology
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.65732
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

ATV66SM8T30A-HF
Comchip Technology
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.41853
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

DM8W30A-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 2.90000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

DM8W30AQ-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 639
Prezzo unitario : Fr. 2.20000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S30A
SMC Diode Solutions
In magazzino: 2’588
Prezzo unitario : Fr. 3.28000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S30A-AU_R2_000A1
Panjit International Inc.
In magazzino: 1’200
Prezzo unitario : Fr. 2.97000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S30A-Q
Bourns Inc.
In magazzino: 286
Prezzo unitario : Fr. 2.39000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S30A-Q1
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
In magazzino: 82
Prezzo unitario : Fr. 1.88000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S30A-TP
MCC (Micro Commercial Components)
In magazzino: 63
Prezzo unitario : Fr. 3.35000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S30AH
Eaton - Electronics Division
In magazzino: 1’498
Prezzo unitario : Fr. 3.09000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SM8S30AHE3-TP
MCC (Micro Commercial Components)
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.22359
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

TLD8S30AH
Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 1’110
Prezzo unitario : Fr. 2.85000
Scheda tecnica
Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi
SE30124HM3/I
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SM8S30AHE3_A/K

Codice DigiKey
SM8S30AHE3_A/K-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
SM8S30AHE3_A/K
Descrizione
TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
48,4V Fascetta 136A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-218AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
PAR®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo
Zener
Canali unidirezionali
1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)
30V
Tensione - Rottura (min)
33,3V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp
48,4V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)
136A
Potenza - Impulso di picco
6600W (6,6kW)
Protezione linea di alimentazione
No
Applicazioni
-
Capacità a frequenza
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-218AB
Contenitore del fornitore
DO-218AB
Codice componente base
SM8S30
Product Questions and Answers

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