Diretto
Diretto
Simile
Diretto
Simile
Simile
Simile

SMBJ8.0A-M3/52 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMBJ8.0A-M3/52-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMBJ8.0A-M3/52 |
Descrizione | TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 13,6V Fascetta 44,1 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMBJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 44,1 A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 600W |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Applicazioni Uso generale |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo Zener | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Canali unidirezionali 1 | Contenitore/involucro DO-214AA, SMB |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 8V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Rottura (min) 8,89V | Codice componente base |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 13,6V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ8.0AHE3/52 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0AHE3/52-ND | Fr. 0.00000 | Diretto |
| SMBJ8.0D-M3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 809 | SMBJ8.0D-M3/HGICT-ND | Fr. 0.60000 | Diretto |
| SMBJ8.0A-E3/52 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3’087 | SMBJ8.0A-E3/52GICT-ND | Fr. 0.44000 | Simile |
| SMBJ8V0A | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | SMBJ8V0ATR-ND | Fr. 0.10290 | Diretto |
| P6SMB9.1A | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-P6SMB9.1ATR-ND | Fr. 0.10290 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 7’500 | Fr. 0.12860 | Fr. 964.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.12860 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.13902 |





