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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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SMBJ8.0CAHE3/5B | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMBJ8.0CAHE3/5B-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMBJ8.0CAHE3/5B |
Descrizione | TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 13,6V Fascetta 44,1 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMBJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 44,1 A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 600W |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Grado Automobilistico |
Tipo Zener | Qualifica AEC-Q101 |
Canali bidirezionali 1 | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 8V | Contenitore/involucro DO-214AA, SMB |
Tensione - Rottura (min) 8,89V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 13,6V | Codice componente base |
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Sostituti (13)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ8.0CA-E3/52 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 21’005 | SMBJ8.0CA-E3/52GICT-ND | Fr. 0.50000 | Diretto |
| SMBJ8.0CA-E3/5B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0CA-E3/5B-ND | Fr. 0.10418 | Diretto |
| SMBJ8.0CA-M3/52 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0CA-M3/52-ND | Fr. 0.17251 | Diretto |
| SMBJ8.0CA-13-F | Diodes Incorporated | 6’176 | SMBJ8.0CA-FDICT-ND | Fr. 0.47000 | Diretto |
| SMBJ8.0CAE3/TR13 | Microchip Technology | 0 | SMBJ8.0CAE3/TR13-ND | Fr. 0.25193 | Diretto |
In magazzino: 0
