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Diretto
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.45612
Scheda tecnica
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SMCG33AHE3/9AT | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMCG33AHE3/9AT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMCG33AHE3/9AT |
Descrizione | TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 53,3V Fascetta 28,1A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AB (SMCG) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 28,1A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 1500W (1,5kW) |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Grado Automobilistico |
Tipo Zener | Qualifica AEC-Q101 |
Canali unidirezionali 1 | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 33V | Contenitore/involucro DO-215AB, SMC ad ala di gabbiano |
Tensione - Rottura (min) 36,7V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 53,3V | Codice componente base |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMCG33A-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCG33A-M3/57T-ND | Fr. 0.45612 | Diretto |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’500 | Fr. 0.53385 | Fr. 1’868.48 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.53385 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.57709 |
